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今天，小编将为大家带来有关半导体器件筛选方案设计介绍，大家赶紧看起来~半导体器件可以划分为分立器件和集成电路两大类。分立器件包括各种二极管、三极管、场效应管、可控硅、光电器件及特种器件;集成电路包括双极型电路、MOS电路、厚膜电路、薄膜电路等器件。
各种器件的失效模式和失效机理都有差异。不同的失效机理应采用不同的筛选项目，如查找焊接不良，安装不牢等缺陷，可采用振动加速度;查找元器件键合不牢，装片不良，内引线配置不合适等缺陷，采用离心加速度;查找间歇短路、间歇开路等缺陷，采用机械冲击等。
因此，不同器件的筛选程序不一定相同。如晶体管的主要失效模式有短路、开路、间歇工作、参数退化和机械缺陷等五种，每种失效模式又涉及到多种失效机理，这些都是制定合理的筛选程序的重要依据。
①外观检查：用10倍放大镜检查外形、引线及材料有无缺陷。
②温度循环：使元器件交替暴露在规定的极限高温和极限低温下，连续承受规定条件和规定次数的循环，由冷到热或由热到冷的总转移时问不超过1min，保持时间不小于10min。
③高温寿命(非工作)：按照国家标准规定的寿命试验要求，使元器件在规定的环境条件下(通常是最高温度)存储规定的时间。
④电功率老炼：按降额条件达到最高结温下的老炼目的，老炼功率按元器件各自规定的条件选取。
⑤密封性试验：有空腔的元器件，先细检漏，后粗检漏。
⑥电参数测试(包括耐压或漏电流等测试)：按产品技术规范合同规定进行。
⑦功能测试：按产品技术规范合同规定进行。
基于以上原理，优化了元器件测试筛选先后次序，按照失效模式的分类，对检测筛选手段依据元器件测试筛选先后次序的原则进行排序。
二极管典型筛选程序
常用的半导体二极管有整流、开关、稳压、检波和双基极等类型，典型的筛选程序如下:
(1)高温储存:锗管℃、硅管℃,96h。
(2)温度循环:锗管-55℃-+85℃,5次;硅管-55℃~+℃,5次。
(3)敲变:用硬橡胶锤敲3~5次，同时用图示仪监视正向特性曲线。
(4)跌落:在80cm高度，按自由落体到玻璃板上5～15次。
(5)功率老炼:
①开关管:1.5倍额定正向电流，12小时;
②稳压管:1～1.5倍额定功率，12小时;
③检波整流管:1～1.5倍额定电流，12小时;
④双基极二极管:额定功率老炼12小时。
(6)高温反偏:锗管C，硅管0C,额定反向电压2小时，漏电流不超过规范值。
(7)高温测试:锗管70℃，硅管℃。
(8)低温测试:－55℃。
(9)外观检查:用显微镜或放大镜检查外观质量，剔除玻璃碎裂等有缺陷的管子。
三极管典型筛选程序
高温储存—温度循环—跌落(大功率管不做)—功率老炼—高低温测试(有要求时做)—常温测试—粗细检漏—外观检查。
(1)高温储存:锗管℃、硅管℃,96小时。
(2)功率老化:小功率管加功率至结温Tjm，老炼24小时，高频管要注意消除有害的高频振荡，以免管子hFE退化。
半导体集成电路典型筛选程序
高温储存—温度循环—(跌落)—离心—高温功率老炼—高温测试—低温测试—检漏—外观检查—常温测试。
(1)高温储存:85～℃,96小时。
(2)离心:g,1分钟
(3)高温功率老炼:85℃,96小时，在额定电压、额定负载下动态老炼。
电子元器件的筛选重点应放在可靠性筛选上，具体的筛选程序可根据元器件的结构特点、失效模式及使用要求灵活制订。
筛选和质量控制是高可靠元器件生产中的重要环节。对于优质产品，通过筛选可使整批产品达到其固有的高可靠性。对于劣质产品，由于其固有的缺陷，就不可能筛选出高可靠产品。因此，在筛选前有必要对产品的质量和可靠性水平进行抽样试验评价，通过试验和失效分析有助于制订合理的筛选程序。
好了，有关深圳Ti代理为大家介绍的半导体器件筛选方案设计就讲到这里了，还有什么不懂的请咨询我们~
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